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三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军

作者:admin 发布时间:2019-05-21 20:20:35 浏览次数:322
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芯科技(文/西卡),三星电子为达到「全球榜三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军首代工企业」的方针,在三星代工论坛2019(三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军Samsung Foundry Forum 2019)上,宣布新一代3纳米闸极全环(Gate-all-around)制程。



据韩媒《ZDN三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军et Korea》报道,3纳米闸极全环制程是让电流经过的圆柱形通道环绕在闸门,和鳍式场效晶体管(FinFET)的结构比较,该技能能愈加精细地操控电流。

若将3纳米制程和最新量产的7纳米FinFET比较,芯片面积能削减45%左右,一起削减耗电量50%,并将功能进步35%。

当天活动中,三星电子将3纳米工程规划套件发送给半导体规划企业,并同享人工智能(AI)、5G移动通讯、无人驾驶、物联网(IoT)等第四次产业革命的中心半导体技能。工程规划套件在代工公司的制作制程中,支撑优化规划的数据文件。半导体规划公司能经过此文件,更轻易地规划产品,缩短上市所需时刻、进步竞争力。

一起,三星电子方案在3纳米制程中,经过独家的多桥接通道场效应晶体管(MBCFETTM)技能,争夺半导体规划公司的喜爱。多桥接通道场效应晶体管技能是进一步开展的「细长的钢丝型态」的闸极全环结构,以轻浮、细长的纳米薄adexe官网片进行仓库。该技能可以提高功能、下降耗电量,并且和Fin三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军FET工艺兼容性强,有直接使用现有设备、技能的三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军长处。

另一方面,三星电子方案鄙人个月5日于上海进行代工论坛,并于7月3日、9月4日、10月10日分别在韩国首尔、日本东京、德国慕尼黑举办代工论坛。(校正/诗诗三星电子宣布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军)

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